钨靶材经常作为物理气相沉积用溅射靶材，在半导体领域用于制作栅电极、连接布线、扩散阻挡层等。钨靶材主要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等领域。
　　其中，纯钨靶材主要用作金属层间的通孔和垂直接触的接触孔的填充物，即钨塞。而钨合金靶材，如WSi2，主要用在栅极多晶硅的上部作为多晶硅硅化物结构和局部互联线。随着半导体芯片尺寸越来越小，铜互连尺寸的缩小导致纳米尺度上电阻率的增加，这已成为制约半导体工业发展的一个技术瓶颈。有研究表明，难熔金属钨有望取代铜成为下一代的半导体布线金属材料。
　　特点
　　喷涂、烧结后的钨靶，具有99%的密度甚至更高、平均透明纹理的直径为100um甚至更小、含氧20ppm或更少，偏转角力为500Mpa左右的特性；提高未加工金属粉末的生产，提高烧结的能力，可以使钨靶的成本稳定在一个低价位。烧结后的钨靶密度高，具有传统的压制烧结方法所无法达到的高水准的透明框架，并且明显改善了偏转角力，以致颗粒物显着的减少。
　　物理性质
　　元素符号：W
　　原子序数：74
　　稳定同位素及其所占%：180(0.14)；182(26.41)；183(14.40)；184(30.64)；186(28.41)
　　相对原子质量：183.85
　　自由原子的电子层结构：1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25P65d46S2
　　原子体积：9.53 cm3/mol
　　密度：19.35 g/cm3
　　晶体结构及晶格常数： α-W：体心立方a=3.16524 nm（25℃）
　　β-W：立方晶格a=5.046 nm（630℃以下稳定）
　　熔点：3410±20℃
　　沸点：5927℃
　　熔化潜热：40.13±6.67kJ/mol
　　升华热：847.8 kJ/mol(25℃)
　　蒸发热：823.85±20.9kJ/mol(沸点)
　　电阻温度系数：0.00482 I/℃
　　电子逸出功：4.55 eV
　　热中子俘获面：19.2 b
　　弹性模量：35000~38000 MPa(丝材)
　　扭力模量： ～36000Mpa
　　体积模量：3.108×1011－1.579×107t+0.344×103t2 Pa
　　剪切模量：4.103×1011－3.489×107t+7.55×103t2 Pa
　　压缩性：2.910－7 cm/kg
　　钨有两种变型，α和β。在标准温度和常压下，α型是稳定的体心立方结构。β型钨只有在有氧存在的条件下才能出现。它在630℃以下是稳定的，在630℃以上又转化为α钨，并且这一过程是不可逆的。
　　纯度：钨99.95%以上
　　密度：19.35g/cm3
　　表面状态：磨光或碱洗